半導體產業網：2021年5月18日凌晨突聞噩耗，國際著名電力電子專家，電磁模型和電力電子變換器設計方面的開拓者之一，荷蘭代爾夫特理工大學Braham Ferreira教授因病逝世，享年63歲。他是第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（簡稱“聯盟”）的老朋友，任聯盟國際咨詢委員會專家，擔任過國際第三代半導體論壇（IFWS）大會主席，多次出席論壇并分享過大會報告。
圖為：2019年11月27日，Braham Ferreira教授出席第十六屆中國國際半導體照明論壇暨2019國際第三代半導體論壇分享“寬禁帶功率半導體國際技術路線圖”
Ferreira教授是IEEE Fellow，IEEE電力電子協會前主席，曾擔任IEEE國際寬禁帶半導體技術路線圖委員會(ITRW) 主席, 歐洲電力電子中心（ECPE）顧問，荷蘭代爾夫特理工大學教授，荷蘭屯特大學電力電子首席教授，荷蘭代爾夫特理工大學北京研究院院長，浙江大學客座教授。Ferreira教授是電力電子領域的國際著名專家，是電磁模型和電力電子變換器設計方面的開拓者之一，他開拓性地將Poynting矢量應用于電磁模型研究中，首次揭示了臨近效應和集膚效應之間存在的正交性，提出了一種通用方法獲得線圈中交流阻抗的解析解，該方法是高頻電磁分析和設計的基礎之一，磁性元件交流損耗計算公式以他名字命名。
他揭示了SiC功率器件電磁干擾產生的機理，提出通過電路布線和靜噪濾波器來抑制干擾的設計方法。他提出的M3C變換器對業界影響深遠。Ferreira教授獲得多項國際學術大獎，包括南非杰出科學成果勛章、2021 IEEE 電力電子協會 Harry A. Owen, Jr. Distinguished Service Award杰出貢獻獎、IEEE 工業應用協會的“ IAS 杰出貢獻獎”、“Gerald Kliman Innovator”、歐洲電力電子中心的“Innovations in Passive Components for Power Electronics Applications”等獎項，15次獲得最佳論文獎。發表過500余篇論文，其中SCI論文100多篇。他在擔任IEEE電力電子協會（PELS）主席期間領導規劃了寬禁帶半導體(ITRW)的國際技術路線圖，加速從硅基功率半導體到碳化硅(SiC)和氮化鎵的轉變。
Ferreira教授對中歐半導體合作作出了卓越貢獻。他是第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（簡稱“聯盟”）的老朋友，自2016年起20余次到訪聯盟；2018年5月起，受聘為第三代半導體產業技術創新戰略聯盟國際咨詢委員會專家，與聯盟共同組織第三代半導體技術路線圖的制定，牽頭成立代爾夫特大學北京研究院，擔任過國際第三代半導體論壇（IFWS）的大會主席，多次出席聯盟各種論壇并分享報告。2019年11月，Ferreira教授在聯盟舉辦的“國際第三代半導體研修培訓”上為近百名研發/科研人員做了“第三代半導體在電力電子系統應用中的機遇與挑戰”的專題培訓。在2019年IFWS大會期間，他作為IEEE國際寬禁帶半導體技術路線圖（ITRW）委員會主席為國內同行分享國際寬禁帶半導體技術路線圖的編制情況以及對第三代半導體應用在短、中、長期不同階段的指導性建議。
Ferreira教授思維深邃、學識淵博、治學嚴謹，為人低調，和藹可親、淡泊名利，在學術領域聲名赫赫，著作等身，為寬禁帶功率半導體與高功率密度電力電子技術發展做出了卓越貢獻。在國內招收博士生，他悉心教導了10名中國籍博士和近30名中國籍碩士。特別是，自2017年起，他與聯盟、國內研究機構共同培養國際合作博士生，專門培養第三代半導體領域的中國籍人才。
在抗癌期間，他仍然堅持定期與聯合培養的博士生召開科研討論會。直至去世的前一天，還在為國內博士生制定研究計劃。
斯人已逝，風范長存！Ferreira教授，您一路走好！
