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英諾賽科鄒艷波:GaN快充技術趨勢及進展

日期:2021-04-26 來源:第三代半導體產業網閱讀:379
核心提示:英諾賽科科技有限公司高級產品應用經理鄒艷波帶來了“GaN快充技術趨勢及進展”的主題報告
大功率、高密度、多接口已經成為快充電源市場的發展趨勢,5G手機快速發展中,5G手機耗電量增大,串聯雙電芯設計,電荷泵的應用等,促使快充技術迅速發展,快充充電功率越來越大。
 
近日,2021功率半導體與車用LED技術創新應用論壇在上海舉行。本屆論壇由半導體產業網和勵展博覽集團共同主辦,并得到第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、國家半導體照明工程研發及產業聯盟的指導。
鄒艷波
會上,英諾賽科科技有限公司高級產品應用經理鄒艷波帶來了“GaN快充技術趨勢及進展”的主題報告,詳細分享了GaN快充發展趨勢以及英諾賽科GaN市場進展。
 
對于GaN快充發展趨勢,報告指出,5G手機的普及極大地促使快充技術迅速發展,5G手機耗電量增大,串聯雙電芯設計,電荷泵的應用,快充充電功率越來越大。并且,功率密度提升促進便攜性,高頻化推動快充的小型化,GaN技術不斷迭代助力快充高頻高效。
 
同時,平面變壓器應用成為趨勢,具有高頻一致性好、便于高功率密度快充生產加工、便于減小漏感等特點。快充模組化方面,未來快充朝著高度集成化發展,變成材料層面的集成,電源的制造和形態朝著芯片化發展;電路與磁材融合集成形成電磁結合,模塊采用含磁粉的材料塑封,具備更好的散熱特性和EMC特性;工作頻率100倍提高,集成度更高。
 
鄒艷波介紹,英諾賽科作為國產硅基氮化鎵廠商,有2個8英寸硅基氮化鎵芯片研發生產基地,30V-650V 產品全面覆蓋。高壓出貨量達600W顆,并推出全球首款標配 120W GaN 快充。其中,InnoGaN 120W 快充方案,內置INN650D02,具備磁性元件、電容器體積大幅減小,DFN封裝,超低熱阻,全面實現小型化,高效率,溫升更低。

并且,InnoGaN 33W快充迅速上量,30W GaN快充或將成為蘋果入局氮化鎵快充的首款作品。InnoGaN33W 方案內置英諾賽科產品:INN650DA04,2 倍 功率密度,3.5% 效率提升,累計訂單已突破 2kk。

他還透露,英諾賽科致力于用硅基氮化鎵打造綠色高效的新世界。目前可在高、低壓領域提供多樣化整體解決方案,并延伸至可穿戴、無人機、電動玩具、家用清潔機器、筆記本、電動車等快充的多領域拓展。
 
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