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新能源汽車 IGBT 芯片技術(shù)綜述

日期:2021-01-28 來源:新能源行業(yè)觀察閱讀:327
核心提示:絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)作為電動汽車動力總成系統(tǒng)的核心器件,直接決定了電動汽車的安全
 絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)作為電動汽車動力總成系統(tǒng)的核心器件,直接決定了電動汽車的安全性和可靠性。芯片結(jié)構(gòu)是決定 IGBT 芯片性能的關(guān)鍵因素。因此,芯片本體的優(yōu)化設(shè)計是提高電動汽車牽引逆變器功率密度、運行效率和工況適應(yīng)性的基礎(chǔ)。

截至 2019 年底,全國新能源汽車保有量達到381萬輛,相比 2018 年增長 46.05%,其中純電動汽車保有量達 310 萬輛,占比 80%以上。隨著電動汽車市場份額的不斷擴大,車輛電動化會在交通方式的演變過程中起主導(dǎo)作用。

同時,我國對電動汽車行業(yè)持續(xù)出臺政策扶持,以及汽車產(chǎn)業(yè)在電動汽車業(yè)務(wù)上的擴大投入都表明:車輛電動化趨勢在未來很長一段時間內(nèi)將保持強勁的增長態(tài)勢。

牽引逆變器是電動汽車動力總成系統(tǒng)的核心能源轉(zhuǎn)換單元,將動力電池輸出的直流電逆變?yōu)槿嘟涣麟婒?qū)動電機,同時在車輛制動時實現(xiàn)能量回饋。車輛的頻繁啟停導(dǎo)致逆變器中的功率半導(dǎo)體器件需要承受大幅溫度波動或機械振動帶來的應(yīng)力沖擊。

為保障電動汽車的安全可靠運行,變器須在能夠應(yīng)對高功率、大電流等極限工況和電磁兼容性挑戰(zhàn)的同時,還需兼顧使用壽命、可靠性及成本要求

復(fù)雜、多變的運行工況(例如路面不平、坡道以及高溫、高濕等環(huán)境)以及大眾消費特點要求電動汽車需具備動力強、效率高和安全可靠等3 種屬性。

牽引逆變器的功率密度直接決定了電動汽車的動力輸出能力,由于牽引逆變器體積和母線電壓等級的限制,當前實現(xiàn)高功率密度均著眼于逆變器中功率半導(dǎo)體器件電流密度的提高。

1. 電動汽車續(xù)航能力的提升一方面需通過功率半導(dǎo)體器件的低功率損耗優(yōu)化技術(shù)來提高牽引逆變器的能量轉(zhuǎn)換效率;另一方面,通過提高動力電池的電壓等級實現(xiàn)充電效率的提升,這對功率半導(dǎo)體器件耐壓等級提出了更高要求;同時,高溫漏電流會使芯片熱可靠性急劇下降,甚至導(dǎo)致功率半導(dǎo)體器件損壞,引發(fā)逆變器二次燒毀;

2. 而保障高溫工況下牽引逆變器的安全可靠性運行,一方面要求功率半導(dǎo)體模塊封裝具有良好的散熱能力;另一方面,要求通過功率半導(dǎo)體體結(jié)構(gòu)優(yōu)化技術(shù),提高其耐高溫能力。

3. 最后,電動汽車直接關(guān)系人身安全,牽引逆變器的安全、可靠運行離不開傳感器對其運行狀態(tài)的精準監(jiān)控以及輔助電路的保護作用,將傳感器或驅(qū)動/緩沖電路集成在功率半導(dǎo)體器件上或功率模塊內(nèi)部,有利于進一步提高牽引逆變器的功率密度。目前,可用于車規(guī)級功率模塊的功率半導(dǎo)體器件,包括碳化硅基功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)和硅基 IGBT。

雖然碳化硅(silicon carbide,SiC)器件具有大功率、耐高溫、損耗低及開關(guān)速度快等優(yōu)勢;但其成本高,動態(tài)特性對封裝雜感參數(shù)敏感,缺少長期運行可靠性評估,并且微管缺陷(micropipe defect,MPD)、Bazel 平面缺陷(Bazel plane defect,BPD)等主要材料問題和柵極氧化層的工藝可靠性有待解決。同時,由于當前工藝限制,單個碳化硅芯片面積小,載流能力遠低于硅基 IGBT 芯片,因此需更多芯片并聯(lián)使用,而實現(xiàn)多個芯片間的均流以及低熱耦合是碳化硅逆變器設(shè)計中亟需解決的問題。

此外,傳統(tǒng)的封裝形式雜散電感大,封裝材料耐溫低,限制了碳化硅器件發(fā)揮其開關(guān)速度快和耐溫高的優(yōu)勢。以上因素均在一定程度上制約了碳化硅器件在電動汽車領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

目前,市面上特斯拉的部分車型中已使用碳化硅器件,減輕了整車重量,且增加了續(xù)航里程。因此,可以預(yù)見,碳化硅器件今后將會和硅基器件長期并存互補,共同成為電動汽車領(lǐng)域的主流選擇,推動牽引逆變器向高功率密度、高效率等方向前進

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