近日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

 

期間，由廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司，中電化合物半導(dǎo)體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦的功率電子器件及封裝技術(shù)分會上，日本豐田汽車公司功率半導(dǎo)體顧問、PDPlus LLC總裁、ISPSD2021大會主席濱田公守帶來了超窄體（UNB）MOSFET和接地窄而深p（GND）MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑戰(zhàn)性結(jié)構(gòu)的主題報(bào)告，分享了最新的研究成果。

UNB-MOSFET:sicmosfet是一種側(cè)壁具有橫向傳導(dǎo)特性的橫向溝道sicmosfet。p-體被設(shè)計(jì)成非常窄，以避免在其體中形成任何耗盡區(qū)。該結(jié)構(gòu)類似于FinFET結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于4H-SiC-MOSFET。制備的UNB MOSFET溝道區(qū)的體寬為55nm。UNB結(jié)構(gòu)顯著提高了遷移率，達(dá)到200cm2/Vs以上。結(jié)果表明，F(xiàn)inFET效應(yīng)非常顯著，導(dǎo)致了非常高的遷移率，從而顯著提高了sicmosfet的溝道電阻。

 

GND-MOSFET:4H-SiC溝道MOSFET采用溝柵自對準(zhǔn)技術(shù)在溝道下形成窄而深的p層，實(shí)現(xiàn)了高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和低DS泄漏電流。該MOSFET的bvds為1080v，Ron，sp在25℃時(shí)為1.19mΩcm2，175℃時(shí)為2.04mΩcm2，Vth為4.0v，在900v（□9.6mm）時(shí)Idss為50na。通過闡明注入缺陷對漏電流的影響，采用一種簡單的工藝實(shí)現(xiàn)了該結(jié)構(gòu)，在所有注入步驟中均采用低溫注入。
 

Kimimori HAMADA于1985年加入豐田汽車公司，1987年作為最初成員之一參與了TMC的內(nèi)部半導(dǎo)體項(xiàng)目。負(fù)責(zé)功率MOSFET，BiCDMOS，IGBT和SiC MOSFET的器件開發(fā)。為豐田Prius混合動(dòng)力汽車開發(fā)了所有IGBT器件。目前擔(dān)任功率半導(dǎo)體顧問，并且是PDPlus LLC的總裁。他是日本電氣工程師學(xué)會（IEEJ），日本汽車工程師學(xué)會（JSAE）和IEEE的成員。
 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）