近日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

期間，由江蘇南大光電材料股份有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司協(xié)辦的“襯底、外延及生長裝備”分會上，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所副研究員張璇帶來關(guān)于二次注入和活化退火提高室溫鋁注入劑量的主題報告。
 

經(jīng)過三十年的研發(fā)，碳化硅材料和電力電子器件正處于擴大生產(chǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域的關(guān)鍵時期。推動這項技術(shù)進步的因素很多，其中包括更好的物理理解、克服技術(shù)困難和降低制造成本，這些都是必不可少的。在眾多挑戰(zhàn)中，歐姆接觸的高劑量p型注入和激活退火已經(jīng)通過高溫注入和1500-1700℃的高溫退火來克服。然而，具有加熱能力的注入機價格昂貴且有限，注入溫度的降低幅度很大從生產(chǎn)力的角度看重要性。因此，嘗試采用二次注入后再進行二次活化退火的技術(shù)來提高室溫鋁注入劑量。

報告結(jié)合具體的實驗過程飛，分享了最新研究成果。報告顯示，在總劑量為1.2×1015cm-2的情況下，雙注入和室溫退火比單次注入和退火大大減少了晶格損傷；雙注入的總劑量可提高到1.5-2.0×1015cm-2，但熱注入仍是達到高劑量的最有效方法。熱注入和雙注入應(yīng)涉及不同的缺陷機制。

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）