近日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
期間，由江蘇南大光電材料股份有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司協辦的“襯底、外延及生長裝備”分會上，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司研發中心主任、山東大學副教授彭燕帶來了“SiC單晶材料及產業化進展”的主題報告。
一代材料決定一代器件，碳化硅材料具有禁帶寬度越大，其熱學本征激發需要溫度越高，無需額外散熱裝置，減小整機體積等特質。
報告顯示，電力電子SiC器件涉及高功率、高壓領域，如新能源汽車、高鐵運輸、智能電網的逆變器等器件。技術發展&需求增加，yole報告指出SiC功率半導體市場規模的年均復合增速預計將達到38%。襯底材料涉及SiC substrate +epitaxy GaN 高能效LED；GaN高頻大功率微波器件，應用雷達、武器和通信系統等方面。
碳化硅材料面臨的挑戰，主要來自成本與質量。其中，成本涉及150毫米和更大直徑的碳化硅晶片以及成熟的技術，商用、高可靠性的產品。質量方面涉及低位錯密度、低應力、P型襯底、生長和加工新技術等。
彭燕，凝聚態物理博士，山東大學副教授/博士研究生導師，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司研發中心主任。2011年6月畢業于山東大學，同年加入晶體材料國家重點實驗室工作。2017-2018年在美國田納西大學做訪問學者。主要從事寬禁帶半導體材料研究工作，重點研究SiC、金剛石材料的制備、表征及應用研究，先后主持、參與國家基礎研究計劃、973、核高基及自然科學基金項目等10余項，發表SCI論文40余篇，申請/授權專利近30項。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
