近日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
期間，由廣東芯聚能半導體有限公司、英諾賽科(珠海)科技有限公司、中電化合物半導體有限公司共同協辦的“新一代電源及充電應用峰會”上，蘇州量芯微半導體有限公司總經理傅玥結合具體的解決方案，從結構、特性、技術路線、商業模型等多個角度，分享了氮化鎵功率器件的主要應用以及市場趨勢等內容。
氮化鎵功率器件具有沒有雪崩擊穿，更加類似于介質擊穿；沒有p-型氮化鎵管，模擬/數字IC的設計與硅不同；最大門級電壓被限制在了7V，且與現有硅驅動IC不兼容；雖然GaN材料特性遠好過硅，且有高電子遷移率的二維電子氣，受制于橫向器件，其優點未能完全發揮等特性。
過去30年，超結MOS芯片面積不斷減小，然而氮化鎵卻是一個質的飛躍。工業界驅動集成的氮化鎵芯片分為兩類，一類是單片集成，另一類是共封集成；單片集成可以最大程度消除驅動回路的寄生參數，讓系統工作在更高的頻率；共封裝使用的硅驅動IC能提供更加全面的驅動和保護功能；目前兩種方案都有公司在做，也都用在了不同的適配器里面。
就氮化鎵市場趨勢來看，未來三年，氮化鎵功率器件主要在快充，激光雷達，數據中心，電動汽車及無線充電五個應用方向。2023年全球氮化鎵功率市場預測在1.5億到4億美元之間。
2023年氮化鎵功率器件在快充/適配器行業預計能達到2億美元；全球適配器年產量至少在30億只以上，如果所有適配器均配氮化鎵器件，則氮化鎵功率器件僅在適配器市場應用就有30億美元（按每個適配器配1美元GaN器件計算）。隨著技術的進步和成本的下降，氮化鎵將在中小功率應用里面逐步取代硅MOSFET（尤其是超結MOSFET)。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
