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官宣! II-VI高意6英寸砷化鎵已提供完整產品線

日期:2020-10-30 來源:訊石光通訊閱讀:401
核心提示:近日,砷化鎵(GaAs)光電技術領導者II-VI高意公司宣布,其6英寸GaAs平臺現已提供高功率半導體激光器的完整產品線。圖片來源:II-V
近日,砷化鎵(GaAs)光電技術領導者II-VI高意公司宣布,其6英寸GaAs平臺現已提供高功率半導體激光器的完整產品線。
圖片來源:II-VI 官網截圖
激光系統市場(包括工業4.0、醫療診斷和外科以及航空航天和國防)的競爭日益激烈,同時需求預計會增長,可以實現規模經濟又能可靠地批量交付產品的半導體激光器二極管供應商因此受益。
 
II-VI高意現在正在其6英寸GaAs平臺上大批量生產高功率邊緣發射二極管,以滿足市場對光纖激光泵浦芯片不斷增長的需求。憑借在高度可靠高功率GaAs邊緣發射泵浦激光器制造方面數十年的專業知識,和為3D感測和高速數據通信應用部署6英寸GaAs光電平臺的勢頭,II-VI高意實現了這一里程碑。
 
II-VI高意激光設備和系統業務部高級副總裁Dr. Karlheinz Gulden表示:“盡管世界上用于光電學的6英寸GaAs技術平臺很少,但是II-VI高意已經在全球三個地點大規模運行了幾個,其中包括美國的兩個和瑞士的一個。據我們所知,我們是世界上第一個在這種可擴展平臺上生產可靠的大功率泵浦激光二極管和棒的公司。通過實現這一里程碑,II-VI高意再次驗證了內部開發垂直集成技術平臺的長期戰略利益,即能夠跨越時間和應用利用這些投資。”
 
II-VI高意的大功率半導體泵浦激光器以裸芯片和貼附芯片(Mounted chips)的形式提供。II-VI高意擁有廣泛的激光系統組件,包括種子激光器、聲光調制器、光纖布拉格光柵、千瓦泵浦和信號組合器,以及離子束濺射(IBS)涂層激光光學器件和用于高功率隔離器的微光學器件。
 
除了用于光電的6英寸GaAs技術平臺外,II-VI高意還建立了用于RF電子產品的6英寸GaAs和GaN-on-SiC(碳化硅上的氮化鎵)技術平臺。II-VI高意已宣布計劃建立一個用于功率電子設備的6英寸SiC垂直集成平臺,并且最近加入了美國半導體工業協會。
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