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深科技擬定增募資17.1億元,用于存儲先進封測與模組制造項目

日期:2020-10-19 來源:集微網閱讀:390
核心提示:深科技發布2020年度非公開發行A股股票預案,公司擬非公開發行不超89,328,225股股票,募資不超171,000萬元,扣除發行費用后將全部
深科技發布2020年度非公開發行A股股票預案,公司擬非公開發行不超89,328,225股股票,募資不超171,000萬元,扣除發行費用后將全部用于存儲先進封測與模組制造項目。
據披露,存儲先進封測與模組制造項目總投資306,726.40萬元,其中建設投資296,471.17萬元,鋪底流動資金10,255.23萬元。項目建設周期為36個月,主要建設內容為:
(1)DRAM存儲芯片封裝測試業務,計劃全部達產后月均產能為4,800萬顆
(2)存儲模組業務,計劃全部達產后月均產能為246萬條模組
(3)NANDFlash存儲芯片封裝業務,計劃全部達產后月均產能為320萬顆
 
本項目技術來源于沛頓科技自主研發與長期積累,沛頓科技存儲芯片封裝制程采用的是當前高端產品的主流技術,如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系統級SiP封裝技術等,現有產品已實現多達16層的多晶堆疊技術,最大單顆芯片容量可達到256G。
 
沛頓科技具備DDR4封裝和測試技術,采用的BGA、LGA等封裝技術優勢明顯,產品合格率高,交貨周期快,產品質量穩定,領先于國內其他競爭對手;沛頓科技的日本研發團隊開發測試方案和程式,提供定制化服務的支持,技術工藝競爭優勢明顯。
 
深科技表示,隨著本次募投項目的實施,有利于打破國內存儲器領域對進口產品的依賴和技術壁壘,加速存儲器國產化替代進程,提升國產存儲器芯片的產業規模,促進我國存儲器產業鏈發展。
 
本項目實施后,可滿足客戶較大需求的DRAM、Flash存儲芯片封測以及DRAM內存模組制造業務,有助于國內存儲器芯片封測的深度國產化。公司根據客戶整體產能建設的需要,契合客戶業務布局,對公司建立長期穩定的客戶關系起到積極作用。客戶產能的逐步提升將直接帶動公司集成電路封測業務的訂單增加。本次募投項目實施后的新增產能加上公司現有產能,將為存儲器芯片國產化提供保障。
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