據臺媒自由時報報道，恩智浦半導體（NXP）宣布正式啟用位于美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的6英寸射頻氮化鎵（GaN）晶圓廠，這是美國境內專注于5G射頻功率放大器的最先進晶圓廠。
恩智浦表示，這座全新氮化鎵晶圓廠已通過認證，首批產品將持續推出上市，預計2020年底將達到產能滿載。
恩智浦指出，此全新工廠結合恩智浦射頻功率領導者的專業與大規模量產技術，代表實現創新，有助支持5G基站與先進通信基礎設施在工業、航空航天和國防市場的擴展。
恩智浦半導體總裁兼首席執行官Kurt Sievers在演講中表示，今日象征著恩智浦的重要里程碑。通過在亞利桑那州建立此先進廠房與吸引關鍵人才，讓恩智浦能夠更聚焦于發展氮化鎵技術，將其作為推動下一代5G基站基礎建設的一部分。
隨著5G的發展，射頻解決方案中每個天線所需的功率密度呈指數級增長，但仍需保持相同的機箱尺寸，并降低功耗。氮化鎵功率晶體管已成為滿足這些嚴格要求的新黃金標準，能夠大幅提高功率密度和效率。
同時，恩智浦半導體執行副總裁兼無線電功率業務部總經理Paul Hart表示，恩智浦團隊向來致力于建造世界上最先進的射頻氮化鎵晶圓廠，該晶圓廠的能力可擴展至6G甚至更高。
