2020年8月4-7日，第十六屆全國MOCVD學術會議在安徽屯溪盛大召開。本次會議以“先進光電技術· 智能綠色制造”為主題，與會專家學者、工程技術人員和企業家圍繞MOCVD生長機理與外延技術、MOCVD設備、材料結構與物性、光電子器件、電力電子器件、微波射頻器件等領域開展廣泛交流，了解發展動態，促進相互合作。
 

會議期間，北京大學的研究人員以“極化調制多量子壘EBL對AlGaN基深紫外LED載流子輸運性質的影響研究”為題，利用仿真技術對AlGaN基深紫外LED器件進行了深度剖析，研究發現采用Al組分和厚度漸變的多量子壘電子阻擋層結構可以極大的抑制電子泄露，提高空穴的注入效率，進一步提升器件的整體性能[Appl. Phys. Lett., 114, 172105 (2019)]。以“氮極性Ⅲ族氮化物隧穿結LED制備研究”為題，吉林大學的研究人員利用仿真技術揭示了含有氮極性隧穿結的LED器件可降低器件的總電阻，同時增加外量子效率[ACS Photonics, 7, 1723 (2020)]。此外，蘇州納米所的科研人員以“基于MOCVD生長的高性能長波InAs/GaSb超晶格探測器”為題、鄭州大學的研究組以“用p-AlGaN內嵌層的電子阻擋層改善AlGaN基深紫外激光器性能”為題分別以海報形式展示了仿真技術在超晶格探測器以及深紫外激光器中的研究中起到了至關重要的作用[IEEE Photonocs Technology Letters, 31, 185 (2019); IET Electronics Letters, 0013 (2020)]。賽米卡爾科技技術團隊以“半導體器件仿真技術對半導體芯片制造的重要作用”為主題，通過利用半導體仿真手段研究垂直腔面發射激光器、肖特基功率二極管、深紫外發光二極管管、紫外光電探測器等半導體器件，并對相關研究成果進行相關闡述和匯報，充分證實了半導體器件仿真技術在半導體器件設計和制備過程中的關鍵作用，并表明半導體仿真技術對深入分析影響半導體器件關鍵特性指標的物理原因的不可替代性。賽米卡爾技術團隊成員分別在8月5號下午以口頭報告和邀請報告的形式進行了匯報：
 

以“利用摻雜突變提高GaN基垂直腔面發射激光器（VCSEL）的電流擴展效應”為題進行匯報；對于半導體激光器行業而言，從研發到產業應用要面臨研發周期長、制備工藝復雜、 驗證成本高等一系列難題，然而芯片結構的設計與分析將顯得尤為重要。為了解決VCSEL限制孔中心低電流注入效率問題，我司技術團隊借助于仿真技術對于VCSEL結構進行深入剖析，提出了一種具有PNP-GaN結構電流擴展層的GaN基VCSEL，一方面利用摻雜突變促進空穴向限制孔中心擴展，另一方面可以減薄ITO層的厚度從而避免大量的內部損耗。此外，通過利用仿真技術深入地分析了熱量分布對GaN基 VCSEL激光功率、電光轉換效率以及效率衰減(rollover)的影響。基于此研究，對于GaN基VCSEL激光功率的提高和rollover效應的緩解提供了新的芯片設計思路[Optics Express, 28, 18035 (2020)]。

以“用于獲得高擊穿電壓和低漏電流的Mesa型GaN基肖特基勢壘二極管的設計策略”為題，闡述了目前Mesa型GaN基肖特基勢壘二極管（TMBS）可改進平面型肖特基勢壘二極管存在的漏電流大、擊穿電壓低的問題，但由于TMBS器件溝槽拐角處電勢線積聚嚴重，局部電場大將會導致器件提前擊穿。而我司技術團隊利用仿真技術對TMBS器件做了深入系統的研究，探索了各個關鍵結構參數對器件性能的影響，進一步凝練了器件的設計規則，該研究成果對于優化TMBS器件結構和提高器件性能具有重要的指導意義[IEEE Trans. Electron. Dev., 67, 266 (2020)]。

以“半導體仿真技術在第三代半導體器件中的應用”為題，對半導體仿真技術在半導體器件領域中取得的一系列成果做了總結匯報。眾所周知，半導體芯片的飛速發展使得芯片研發的時間將會不斷地被壓縮，同時，半導體相關設備和原材料等投入的高昂的研發成本也會影響半導體行業的發展。而半導體仿真技術可以對未來可能發生的情況進行系統的、科學的、合理的推算，有效避免造成人力、物力的浪費，幫助科研人員和技術工作者做出正確的決策。

 

賽米卡爾科技的技術團隊來自于國內外知名院校及研發機構，半導體芯片的仿真設計對技術人員的基本素質提出了極高的要求，需要具備深厚的半導體器件物理功底、掌握各種半導體器件的制備工藝、優異的邏輯思維能力以及計算機編程能力，我們擁有一支專業的人才隊伍，切實為您解決專業的技術難題，打破實驗探究瓶頸，優化芯片結構參數，縮短實驗研發周期，降低實驗成本，因此，仿真技術的發展也勢必會給半導體產業發展注入更為鮮活的動力，加速產品研發的迭代速度，為中國芯的發展保駕護航！