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臺積電2nm制程研發取得突破 將切入GAA技術

日期:2020-07-13 來源:電子創新網作者:winniewei閱讀:5

據臺灣媒體報道,臺積電沖刺先進制程,在2nm研發有重大突破,已成功找到路徑,將切入環繞式柵極技術(gate-all-around,簡稱GAA)技術。臺媒稱,三星已決定在3nm率先導入GAA技術,并宣稱要到2030年超過臺積電,取得全球邏輯芯片代工龍頭地位,臺積電研發大軍一刻也不敢松懈,積極投入2nm研發,并獲得技術重大突破,成功找到切入GAA路徑。

臺積電負責研發的資深副總經理羅唯仁,還為此舉辦慶功宴,感謝研發工程師全心投入。

臺積電3nm制程預計明年上半年在南科18廠P4廠試產、2022年量產,業界以此推斷,臺積電2nm推出時間將在2023年到2024年間。

臺積電今年4月曾表示,3nm仍會沿用FinFET(鰭式場效應晶體管)技術,主要考慮是客戶在導入5nm制程后,采用同樣的設計即可導入3nm制程,可以持續帶給客戶有成本競爭力、效能表現佳的產品 。

臺積電成立于1987年,是全球最大的晶圓代工半導體制造廠,客戶包括蘋果、高通等等。其總部位于臺灣新竹的新竹科學工業園區。臺積電公司股票在臺灣證券交易所上市,股票代碼為2330,另有美國存托憑證在美國紐約證券交易所掛牌交易,股票代號為TSM。

來源:TechWeb

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