根據(jù)公告披露的信息，三安光電決定在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額160億元。

　　最新進度顯示，6月15日，三安光電已與長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽署《項目投資建設(shè)合同》。根據(jù)計劃，三安光電將在用地各項手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個月內(nèi)完成一期項目建設(shè)并實現(xiàn)投產(chǎn)，48個月內(nèi)完成二期項目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實現(xiàn)投產(chǎn)，72個月內(nèi)實現(xiàn)達產(chǎn)。

 

　　對于具體開發(fā)建設(shè)的產(chǎn)品，三安光電方面表示，主要研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6寸SIC導(dǎo)電襯底、4寸半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiCMOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET等。對于此次投資，三安光電方面認為：“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項目有著廣闊的市場需求，現(xiàn)處于發(fā)展階段。本次投資項目符合國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃，符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略，有利于提升公司行業(yè)地位及核心競爭力。”

 

　　事實上，近年來三安光電在半導(dǎo)體領(lǐng)域的“大手筆”投資一直備受業(yè)界關(guān)注。

 

　　2017年12月，總投資高達333億元的三安高端半導(dǎo)體系列項目在泉州市“泉州芯谷”南安園區(qū)啟動，該工程涵蓋高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化等七大項目。計劃五年內(nèi)實現(xiàn)投產(chǎn)、七年內(nèi)達產(chǎn)，經(jīng)營期限不少于25年，將實現(xiàn)年銷售收入270億元、稅收30億元。經(jīng)濟觀察網(wǎng)記者獲得的最新消息顯示，目前，泉州三安項目購買的設(shè)備陸續(xù)到廠，已有部分設(shè)備安裝完成，進入調(diào)試階段，待調(diào)試完成后將逐步釋放產(chǎn)能。

 

　　與在半導(dǎo)體領(lǐng)域投資的高飛猛進相對應(yīng)，是近年來三安光電在經(jīng)營業(yè)績上的承壓。受累于LED芯片市場價格戰(zhàn)，特別是去年前三季度產(chǎn)品價格的大幅下滑，2019年，盡管三安光電在LED芯片領(lǐng)域銷售數(shù)量相比2018年同期保持增長，但業(yè)績卻出現(xiàn)大幅下滑。財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，2019年三安光電實現(xiàn)營業(yè)收入74.60億元，同比下降10.81%；歸屬于母公司股東的凈利潤為12.98 億元，同比下降54.12%。