三、材料
半導體材料發展歷程
Si：主要應用于集成電路的晶圓片和功率器件;
GaAs：主要應用于大功率發光電子器件和射頻器件;
GaN：主要應用于光電器件和微波通信器件;
SiC：主要應用于功率器件。
▲各代代表性材料主要應用
▲第二、三代半導體材料技術成熟度
細分領域已經實現彎道超車，核心領域仍未實現突破，半導體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料兩大塊。晶圓制造材料中，硅片機硅基材料最高占比31%，其次依次為光掩模版14%、光刻膠5%及其光刻膠配套試劑7%。封裝材料中，封裝基板占比最高，為40%，其次依次為引線框架16%，陶瓷基板11%，鍵合線15%。
日美德在全球半導體材料供應上占主導地位。各細分領域主要玩家有：硅片——Shin-Etsu、Sumco，光刻膠——TOK、Shipley，電子氣體——Air Liquid、Praxair，CMP——DOW、3M，引線架構——住友金屬，鍵合線——田中貴金屬、封裝基板——松下電工，塑封料——住友電木。
（1）靶材、封裝基板、CMP 等，我國技術已經比肩國際先進水平的、實現大批量供貨、可以立刻實現國產化。已經實現國產化的半導體材料典例——靶材。
（2）硅片、電子氣體、掩模板等，技術比肩國際、但仍未大批量供貨的產品。
（3）光刻膠，技術仍未實現突破，仍需要較長時間實現國產替代。
