盡管InGaN基藍光和綠光LED都已商用量產，但紅光LED通常基于AlInGaP材料或顏色轉換的紅光。對于AR應用來說，由于AlInGaP材料的嚴重邊緣效應和顏色轉換過程造成的腔損耗，實現高效超小間距紅色像素（《5 μm）仍然遙不可及。

 

 

 

　　來源：Plessey

 

　　與現有的基于AlInGaP的紅光相比，基于InGaN的紅光具有更低的制造成本、可擴展至更大的200 mm或300 mm晶圓以及更好的熱/冷系數，因此具有極大的吸引力。然而，由于銦含量高，在有源區中引起顯著的應變，從而降低了晶體質量并產生了許多缺陷，因此，使用InGaN材料實現紅色光譜發射具有挑戰性。Plessey通過使用專有的應變設計的有源區來制造高效的InGaN Red LED，成功克服了這些挑戰。

 

　　Plessey的InGaN Red Micro LED在10 A/cm2時的波長為630 nm，半峰全寬為50 nm，熱冷系數超過90％，并且在超小像素間距中，其效率高于傳統的AlInGaP和顏色轉換的紅光。有了這個結果，Plessey現在可以制造天然的藍、綠和紅InGaN材料，或者使用其GaN-on-Silicon平臺調諧400至650 nm的波長。

　　來源：Plessey

 

　　Plessey外延和高級產品開發總監Wei Sin Tan表示：“這是一個令人振奮的結果，因為它為低成本制造超小間距和高效的Red InGaN像素提供了一條途徑，將加速Micro LED在AR微型顯示器和移動/大型顯示器應用中的采用。”