英飛凌IGBT單管國(guó)產(chǎn)替代，英飛凌IGBT模塊國(guó)產(chǎn)替代，三電平模塊，Hybrid SiC Module，混合IGBT模塊，混合碳化硅功率模塊，F(xiàn)UJI富士SiC碳化硅模塊國(guó)產(chǎn)替代，62mm Hybrid SiC Module，混合型SiC模塊，混合SiC模塊，功率半導(dǎo)體，F(xiàn)UJI富士IGBT模塊國(guó)產(chǎn)替代，IGBT 混合型SiC模塊，Vincotech IGBT模塊國(guó)產(chǎn)替代，EconoDUAL? 3 Hybrid SiC Module，三菱IPM模塊國(guó)產(chǎn)替代
采購產(chǎn)品：
基本半導(dǎo)體，儲(chǔ)能變流器碳化硅MOSFET,光伏逆變器IGBT,SiC MOSFET，分立IGBT,混合IGBT模塊,混合三電平SiC-IGBT模塊,光伏逆變器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，IGBT單管，混合IGBT單管，國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET模塊，SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管，分立碳化硅MOSFET，國(guó)產(chǎn)TO263-7碳化硅MOSFE
產(chǎn)品分類