GaN器件在光電、微波與功率領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，具有顯著的性能優(yōu)勢。據(jù)Yole Development預(yù)測，2022 年GaN功率器件市場規(guī)模將達(dá)到 4.5億美元，年復(fù)合增長率91%。當(dāng)前增長最快的是以PD快充為代表的消費類應(yīng)用 。 該領(lǐng)域 2019年、2020年GaN器件銷量分別為200萬、2000萬顆，2021年 預(yù)計超過1億顆，呈指數(shù)型增長態(tài)勢。

 

9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。

會上，青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司應(yīng)用技術(shù)總監(jiān)劉海豐帶來了題為“面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)”的主題報告。報告指出，隨著人工智能與5G通訊技術(shù)的發(fā)展，對智能終端快速充電提出了更高要求，需要采用新型半導(dǎo)體器件以提升快充效率、減小快充體積。作為第三代半導(dǎo)體，GaN器件得益于材料優(yōu)勢，在速度、效率、耐高溫等方面均優(yōu)于傳統(tǒng)硅器件，在功率系統(tǒng)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

 

在此背景下，北京賽微電子著手布局了聚能晶源與聚能創(chuàng)芯項目，開展GaN材料與器件產(chǎn)業(yè)化工作。基于兩項目實施，可實現(xiàn)GaN材料、器件與應(yīng)用的國產(chǎn)化供應(yīng)，為5G通訊、智能終端、大數(shù)據(jù)、自動駕駛等領(lǐng)域，提供新型功率器件產(chǎn)品與技術(shù)解決方案。

 

聚能晶源掌握領(lǐng)先的8英寸GaN-on-Si、6英寸GaN-on-SiC外延技術(shù)；產(chǎn)品線包括AlGaN/GaN、P-GaN、GaN-on-HRSi等，面向功率與微波應(yīng)用。聚能晶源擁有業(yè)界領(lǐng)先的AixtronG5+MOCVD設(shè)備，可以實現(xiàn)高質(zhì)量低成本6-8英寸外延材料生長。聚能晶源一期建成產(chǎn)能為年產(chǎn)1萬片GaN外延晶圓，在規(guī)劃的二期項目中，產(chǎn)能將達(dá)到年產(chǎn)20萬片GaN外延晶圓。