近日，碳化硅襯底國產替代硬核科技企業乾晶半導體完成 1 億元 Pre-A 輪融資，由紫金港資本和元禾原點等多家機構參與投資。

據了解，本輪資金將用于增加研發投入、產線建設以及企業運營等。

杭州乾晶半導體有限公司成立于 2020 年 7 月，脫胎于著名半導體材料專家楊德仁院士指導下的浙江大學杭州國際科創中心（簡稱浙大科創中心）先進半導體院碳化硅襯底項目，該項目在碳化硅襯底的研發制備上曾取得了系列研究成果。乾晶半導體與浙大科創中心建有聯合實驗室，也與浙江大學硅材料國家重點實驗室建立了緊密的合作關系。

隨著國家 " 雙碳戰略 " 的推進，新能源產業和電動汽車產業蓬勃發展，產生了對功率轉換裝置如太陽能逆變器，電動汽車充電樁，車載充電器和馬達驅動器等的巨大需求，半導體功率器件是上述各種功率轉換裝置的核心。而碳化硅（SiC）材料具有耐高溫和高壓的特點，基于 SiC 的器件還具有高開關頻率和低靜態功耗，在高電壓和大電流的領域，SiC 被認為是將取代硅成為功率器件的主流材料。

由于碳化硅成本高昂和制備工藝復雜，目前階段，碳化硅器件在全球半導體市場的滲透率較低，預計到 2023 年仍然不足 4%，但在未來幾年，碳化硅功率器件將以 34% 年均復合增長率快速增長，迎來碳化硅市場的爆發。預計到 2027 年全球 SiC 功率半導體市場規模有望突破 60 億美元。

碳化硅產業價值鏈比較清晰，主要包括襯底、外延、器件和應用，其中作為基礎材料的襯底和外延占據了制造成本中的 70%，這與傳統硅基器件中晶圓制造占一半以上的成本上有著極大不同。碳化硅器件上游襯底和外延價值量凸顯，也讓許多廠商紛紛布局這兩個環節。就襯底而言，國內外廠商市場占比極不均勻，Wolfspeed、Ⅱ - Ⅳ、SiCrystal 等三家海外廠商就占據了全球 89% 的市場，國內企業市場份額較小。其主要原因是襯底制備工藝復雜、技術要求較高，在長晶、切割等方面良率提升困難，國內廠商技術積累不足，雖然已經有天岳先進、天科合達等國內廠商在技術上進行追趕，但是想要重塑行業格局尚需一定時日。

乾晶半導體依托浙大的學術資源，深耕碳化硅領域，在長晶、切割等多個環節均有深厚的技術積累。首先，在長晶技術方面，乾晶單晶生長技術路線較國內普遍水平較為優異，據了解，乾晶所采用的技術路線生長的六英寸 SiC 晶體，厚度在 20mm 以上，最厚可達 50mm，長晶成品率可達 70%，一顆晶體的生長時間在 5 天，處于國內領先水平。其次，在切割技術方面，乾晶半導體在工藝開發過程中，解決了金剛石線高線速切削加工劇烈，晶片翹曲度大的問題，切割一刀時長縮短到 20 小時，大大提高了加工效率，此外，乾晶半導體正在開發激光剝離技術，有望進一步降低晶片切割損耗和損傷層厚度。目前公司正在衢州搭建中試產線，這些技術積累將為乾晶實現產量爬坡提供保障。